0

вопрос по диодам в системах 6 поколения

Posoh 2 months ago updated 2 months ago 5

в системах шестого поколения нельзя использовать диоды шунтирующие обмотку реле (при использовании доп реле).

вопрос: почему?

"нельзя использовать" или все таки "можно не использовать"?

казнить нельзя помиловать)) 

+1

потому что все нужные защиты уже есть в блоке.

+2

в системах шестого поколения нельзя использовать диоды шунтирующие обмотку реле (при использовании доп реле).

вопрос: почему?

Вопрос периодически всплывает. Потому что в более ранних системах 0-5 поколений такого ограничения не было...


Производитель сигнализации НЕ РЕКОМЕНДУЕТ использовать эти шунтирующие диоды в системах шестого поколения. Причина кроется в том, что  в этих системах  в качестве слаботочных каналов стали использовать не сборки биполярных транзисторов ULN2003, а униполярные (полевые, MOSFET) транзисторы. Они имеют более сложную  структуру слоев полупроводника и в них в ряде случаев (не всегда!) из-за этого внешнего диода, да еще расположенного на удалении от  главного блока, могут протекать  токи не туда и не тогда, когда нужно. 

В результате вместо  очевидной пользы, описанной тут http://autosiga.ru/forum/viewtopic.php?f=7&t=1461

можно неожиданно заполучить  выведенный из строя  слаботочный канал.

Поэтому производитель предпочел перебдеть и  РЕКОМЕНДОВАТЬ не устанавливать такие диоды на катушки реле (а при их наличии - удалять их)...

Что касается ЗАЩИТНОГО диода против ЭДС самоиндукции катушки, то  он есть в составе MOSFETа прямо внутри транзистора  и помещен туда при его производстве (как и в  сборках биполярных транзисторов). Так что  сам транзистор защищен от ЭДС cамоиндукции.

А вот   с возможной ВЧ-помехой, природа возникновения которой описана по ссылке,  придется бороться уменьшением емкости колебательного контура -длины проводников от блока до реле  (что не всегда возможно) или устанавливая вместо диода  резистор ом  500 или  килоом-два. Чем меньше резистор, тем лучше гашение ЭДС, но  и в то же время - больше паразитный ток, протекающий дополнительно через транзистор канала  при его работе...

спасибо большое за ваш развернутый ответ, вы как всегда, на высоте, спасибо вам.